美国美高森美微电子集团公司技术院士饶世国受邀作半导体芯片可靠性研究学术报告

    2015年11月30日上午，受我院邀请，饶世国博士作题为“Semiconductor Technology Trend and Reliability Challenges”学术报告。报告中，饶博士详细介绍了半导体领域的发展现状以及发展趋势，并对半导体芯片最新工艺和材料引起的新的可靠性破坏机理、封装耦合可靠性以及芯片设计过程中可靠性设计方案进行了深入分析。饶博士报告内容丰富有趣，且提纲挈领、深入浅出，让在场师生拓宽了视野，对半导体领域的专业背景有了更深的认识。报告会后，饶博士还和有关师生就芯片可靠性问题进行了热烈的交流。

    饶世国博士，现任美国加州美高森美（Microsemi）微电子集团公司的技术院士，国际电子工程师协会的高级会员。1991年毕业于中国科技大学，获得固体材料和力学博士学位。毕业后任教于中国科技大学。1994年被新加坡国家科技局引进人才计划聘为研究员。1997年开始在美国西北大学可靠性和破坏预防研究中心做研究员。2000年开始进入微电子工业界从事可靠性研究和应用，先后任职于摩托罗拉电子和爱立信公司担任高级和主任工程师。2004年加入美高森美，先后担任技术委员会高级委员，首席工程师和技术院士。饶博士在高等芯片可靠性领域发表三十多篇论文，在多个国际学术会议作大会报告和分会主席。自2012年起担任国际可靠性物理大会技术委员会成员，负责和参与多个国际标准的制定。

    报告会由我院吕品教授主持，我校计算机与信息学院对本课题感兴趣的师生也参加了本次报告会。

(常龙飞/文，翟华/图)